Сегнетоэлектрическая память, или FeRAM (Ferroelectric RAM), является одним из перспективных направлений развития оперативной памяти, основные достоинства которой заключаются в энергонезависимости и высокой производительности. В основе чипов памяти лежат так называемые сегнетоэлектрики – класс кристаллических твёрдых тел, у которых существует спонтанная поляризация.

Не так давно японская компания Fujitsu в сотрудничестве с Токийским Технологическим Институтом разработала память на основе феррита висмута, благодаря чему ёмкость чипов возросла в пять раз. Однако и конкурирующие корпорации не стоят на месте. В частности, компания Seiko Epson сообщает об аналогичном достижении, которое заключается в повышении ёмкости чипов уже на порядок, и также благодаря новым материалам.

В данном случае инженеры использовали материал на основе сплава свинца, цинка и титана, в котором некоторые атомы титана заменены атомами ниобия. И хотя подобный материал уже известен довольно давно под обозначением PTZN, достижением японских учёных из Seiko Epson является повышение содержания ниобия в сплаве на два-три порядка.

Сообщается, что устройства памяти на основе PTZN с повышенным содержанием ниобия будут производиться по 0,35-мкм CMOS-техпроцессу. При этом отмечается заметное увеличение срока службы микросхем – количество циклов перезаписи увеличено сразу в 10 раз, а время цикла записи теперь снижено до 100 нс.

Основные характеристики FeRAM-памяти:
- производство по 0,35-мкм техпроцессу;
- рабочее напряжение – 3 В;
- рабочий ток – 5 мА;
- время доступа к данным – 75 нс;
- продолжительность цикла записи – 100 нс.

наверх