Компании Toshiba Corporation, Sony Corporation и NEC Electronics Corporation объявили о разработке технологии производства микрочипов по 45-нм техпроцессу. Технология подразумевает возможность изготовления LSI-микросхем, которые отличаются пониженной потребляемой мощностью, повышенной функциональностью, более компактными размерами и более высокой производительностью, по отношению с современными 90-нм решениями.

Для возможности производства 45-нм микрочипов Toshiba, Sony и NEC переработали МОП-технологию, использовали гибридную структуру микросхемы, внедрив в структуру тонкие пленки с низкой диэлектрической константой (low-k), и снизив тем самым паразитную ёмкость и повысив скоростные качества чипов. Подобные нововведения позволили на 30% повысить производительность электронных устройств по сравнению с предыдущим поколением микросхем.

Исследователи также использовали технологию иммерсионной фотолитографии, что позволило снизить площадь ячейки SRAM-памяти до 0,248 кв. мкм.

На данный момент компании разрабатывают две технологии производства 45-нм чипов – первая предполагает изготовление высокопроизводительных LSI-решений, а вторая должна стать необходимым инструментом для производства маломощных микросхем. Оба решения будут полностью готовы к началу 2007 года, а вот когда технология будет внедрена в массовое производство, пока не сообщается.

наверх